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在半導(dǎo)體制造的后道工藝中，激光修整金屬線是提升芯片良率的關(guān)鍵技術(shù)。然而，這一“微米級手術(shù)”對芯片長期壽命的影響，取決于熱影響區(qū)（HAZ）控制、介質(zhì)層完整性以及金屬離子遷移三大核心因素。規(guī)范操作下，修整是“救星”；若工藝失控，則可能埋下“早衰...
1.2金屬鍵合對于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來說，鍵合界面必須具有高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)的性能，幸運(yùn)的是大部分金屬材料導(dǎo)熱性能好的同時導(dǎo)電性能也較好，使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù)，即以金屬膜為中間層實(shí)現(xiàn)晶圓對的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導(dǎo)、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無論是對于AlInGaP紅光LED還是對于InGaN藍(lán)光LED，采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問世，到20世紀(jì)90年代，人們對LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門才向LED打開。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第...
01引言數(shù)據(jù)中心、電信網(wǎng)絡(luò)、傳感器和用于人工智能高級計算中的新興應(yīng)用，對于低功耗和低延遲的高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟪尸F(xiàn)出指數(shù)級增長。我們比以往任何時候都更加依賴這些應(yīng)用來確保這個世界更安全、更高效。在所有這些市場中，硅光子學(xué)(SiPh)在實(shí)現(xiàn)超高帶寬性能方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。因此，開發(fā)能夠經(jīng)濟(jì)高效地擴(kuò)大硅光子產(chǎn)品生產(chǎn)的解決方案比以往任何時候都更加重要。雖然通過使用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體大規(guī)模生產(chǎn)工藝和現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施，SiPh的晶圓制造能力已經(jīng)成熟，但SiPh的封裝解決方案仍然是大規(guī)模商業(yè)化的關(guān)鍵瓶...
相較上一代平臺，全新自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)（IQAlignerNT）產(chǎn)出率和對準(zhǔn)精度提升兩倍，為EVG光刻解決方案帶來了全新應(yīng)用微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、納米技術(shù)以及半導(dǎo)體市場晶圓鍵合和光刻設(shè)備LINGXIAN供應(yīng)商EVG集團(tuán)（EVG）近日宣布推出IQAlignerNT，旨在針對大容量XIANJIN封裝應(yīng)用推出的全新自動掩模對準(zhǔn)系統(tǒng)。IQAlignerNT光刻機(jī)配備了高強(qiáng)度和高均勻度曝光鏡頭、全新晶圓處理硬件、支持全局多點(diǎn)對準(zhǔn)的全200毫米和全300毫米晶圓覆蓋、以及優(yōu)化的工具軟件。...
1.介紹對電子設(shè)備性能和靈活性的新要求正在使制造基礎(chǔ)架構(gòu)從傳統(tǒng)的基于掩模的光刻技術(shù)轉(zhuǎn)變?yōu)橛糜诟呒壏庋b和異構(gòu)集成的數(shù)字光刻技術(shù)。片上系統(tǒng)正在從單片解決方案轉(zhuǎn)向封裝，小芯片和功能塊中的模塊化系統(tǒng)。因此，對于可擴(kuò)展和通用后端光刻的需求不斷增長，以實(shí)現(xiàn)封裝和系統(tǒng)級的互連。為了滿足這一新的行業(yè)愿景，需要能夠通過高級封裝快速集成新穎功能元素的大規(guī)模生產(chǎn)新工具。大批量制造（HVM）行業(yè)必須超越保守的芯片圖案設(shè)計，并進(jìn)入數(shù)字光刻技術(shù)的新時代。EVGroup開發(fā)了MLE™（無掩模曝...