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在半導(dǎo)體制造的后道工藝中，激光修整金屬線(xiàn)是提升芯片良率的關(guān)鍵技術(shù)。然而，這一“微米級(jí)手術(shù)”對(duì)芯片長(zhǎng)期壽命的影響，取決于熱影響區(qū)（HAZ）控制、介質(zhì)層完整性以及金屬離子遷移三大核心因素。規(guī)范操作下，修整是“救星”；若工藝失控，則可能埋下“早衰...
在過(guò)去的40年，我們發(fā)展成為隔振臺(tái)的供應(yīng)商，并在此領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)。與此同時(shí)，測(cè)量技術(shù)有了很大的進(jìn)步，一些靈敏的設(shè)備會(huì)受被動(dòng)式隔振臺(tái)中低頻共振頻率的干擾，只有主動(dòng)式隔振臺(tái)能消除此類(lèi)干擾。因此，我們?cè)诒粍?dòng)式隔振臺(tái)產(chǎn)品之外，補(bǔ)充了由瑞士TableStableLtd.開(kāi)發(fā)的先進(jìn)主動(dòng)式隔振臺(tái)。隔振臺(tái)的描述：調(diào)整腳，焊接鋼框架。1、薄膜空氣彈簧BiAi產(chǎn)處于框架和需要隔振的平臺(tái)之間（垂直固有頻率2.3Hz）2、機(jī)械氣動(dòng)定位控制（精度土1/lOOmm或土1/lOmm）特點(diǎn)：1、固有振...
Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x用于氧化釔（Y?O?）涂層厚度測(cè)量。它可快速準(zhǔn)確地繪制大型氧化鋁陶瓷圓盤(pán)上的抗等離子涂層Y?O?層厚度。下面我們來(lái)看看用Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）涂層厚度的具體情況。Thetametrisis膜厚測(cè)量?jī)x測(cè)量氧化釔（Y?O?）的案例分析：氧化釔（Y?O?）是一種非常有前景抗等離子涂層材料，且在集成電路中特征尺寸的持續(xù)減小應(yīng)用在化學(xué)機(jī)械拋光后的高度平整工藝用作化學(xué)機(jī)械平面化（CMP）的磨料，具有獷泛的應(yīng)用范圍。氧...
硅片厚度測(cè)量?jī)x是采用紅外干涉技術(shù)的一款測(cè)量?jī)x器。它能夠精確測(cè)量硅片厚度和測(cè)量TTV總厚度變化，也能實(shí)時(shí)測(cè)量超薄晶圓厚度（掩膜過(guò)程中的晶圓），硅片厚度測(cè)試儀非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等厚度測(cè)量應(yīng)用。硅片厚度測(cè)量?jī)x具有突出優(yōu)勢(shì)，諸多材料例如Si、GaAs、InP、SiC、玻璃、石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測(cè)量，標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測(cè)量點(diǎn)也可以做到。目前，儀器可廣泛用于MEMS、晶圓、電子器件、膜厚、激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測(cè)量。該硅...
電容式位移傳感器基于平板電容原理。電容的兩極分別是傳感器和與之相對(duì)的被測(cè)物體。如果有穩(wěn)定交流電通過(guò)傳感器，輸出交流電的電壓會(huì)與傳感器到被測(cè)物體之間的距離成正比關(guān)系，從而可以通過(guò)測(cè)量電壓的變化得到距離信息。電容位移傳感器是一種非接觸電容式原理的精密測(cè)量?jī)x器，具有一般非接觸式儀器所共有的無(wú)磨擦、無(wú)損磨特點(diǎn)外，還具有信噪比大，靈敏度高，零漂小，頻響寬，非線(xiàn)性小，精度穩(wěn)定性好，抗電磁干擾能力強(qiáng)和使用操作方便等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中電容式傳感器可以實(shí)現(xiàn)近乎的線(xiàn)性測(cè)量。但是，電容傳感器要求探...
顯微鏡秒變光刻機(jī)！--顯微鏡LED曝光單元電子顯微鏡和光刻機(jī)，兩個(gè)看上去風(fēng)馬牛不相及的東西，是如何結(jié)合到一起的？我們向您介紹一款無(wú)掩膜顯微鏡LED曝光單元UTA-3A-53M，能令顯微鏡秒變光刻機(jī)！該設(shè)備是一種具有高性?xún)r(jià)比的曝光裝置，其DLP固定在顯微鏡的三目鏡部分，而照相機(jī)則固定在目鏡部分。可以將專(zhuān)用程序產(chǎn)生的圖案投影并在顯微鏡下曝光在樣品上。＜特征＞?顯微鏡LED曝光單元UTA系列是用于光刻的無(wú)掩模圖案投影曝光設(shè)備。?使用金屬顯微鏡和LED光源DLP投影儀，將分辨率為幾μ...